[发明专利]固体摄像器件无效
申请号: | 201280009643.1 | 申请日: | 2012-02-20 |
公开(公告)号: | CN103384916A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 舛冈富士雄;原田望 | 申请(专利权)人: | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/357 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;赵根喜 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 | ||
1.一种多个像素在像素区域排列成2维状的固体摄像器件,其特征在于,具有:
形成在衬底上的第1半导体区域;
形成在前述第1半导体区域上的第2半导体区域;
形成在前述第2半导体区域的上部侧面的第3半导体区域;
形成在不与前述第2半导体区域的侧面相对向的前述第3半导体区域的侧面且为与前述第3半导体区域相反导电性的第4半导体区域;及
在前述第2半导体区域上的为与前述3半导体区域相反导电性的第5半导体区域;
前述第2半导体区域包括与前述第3半导体区域相反导电性的半导体或本质型半导体;
至少前述第2半导体区域的上部、前述第3半导体区域、前述第4半导体区域及前述第5半导体区域形成岛状半导体;
通过前述第2半导体区域与前述第3半导体区域而形成光电二极管;
执行将因为射入于前述光电二极管区域的电磁能量波所产生的信号电荷储存于前述第3半导体区域的信号电荷储存动作;
形成以前述第1半导体区域及前述第5半导体区域中的一方为漏极并且以另一方为源极且以储存前述信号电荷的前述第3半导体区域为栅极的结型场效应晶体管;
执行依据储存于前述第3半导体区域的信号电荷量读取流通于前述结型场效应晶体管的前述源极及漏极间的电流作为信号输出的像素信号读取动作;
执行信号电荷去除动作,其中,将前述第4半导体区域及前述第5半导体区域设为低电平电压,且将前述第1半导体区域设为较前述低电平电压更高的高电平电压,藉此在存在于前述第1半导体区域及前述第3半导体区域之间的前述第2半导体区域中将势垒消除,且经由该无势垒的第2半导体区域将储存于前述第3半导体区域的信号电荷从前述第3半导体区域予以去除至前述第1半导体区域。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,前述第4半导体区域连接于前述第5半导体区域。
3.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,构成为前述第3半导体区域与前述第4半导体区域从前述第5半导体区域隔开,而在前述第4半导体区域的外周部隔着绝缘层形成有第1导体层,而在将储存于前述第3半导体区域的信号电荷去除至前述第1半导体区域的期间,前述第4半导体区域成为较前述高电平电压更低的低电平电压,并且对于前述第1半导体区域施加高电平电压,而且,对于前述第1导体层施加储存前述信号电荷的预定电压。
4.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,前述第1半导体区域具备成为前述结型场效应晶体管的源极或漏极的第6半导体区域、及用以去除储存于前述第3半导体区域的信号电荷的第7半导体区域;
在前述第6半导体区域与前述第7半导体区域之间,延伸存在有前述第2半导体区域。
5.根据权利要求4所述的固体摄像器件,其特征在于,在执行前述信号电荷储存动作与前述像素信号读取动作的期间施加于前述第7半导体区域的电压,被设定为较执行前述信号电荷去除动作的期间施加于前述第7半导体区域的电压更低。
6.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,执行前述多个像素排列成2维状,将排在该2维排列的像素中的至少1行的像素的信号电流,经由沿着包括排在垂直方向的像素的列而排列且将前述第1半导体区域彼此连接的信号线,同时读入于设在前述像素区域的外部的行像素信号取入电路,并且将排在前述至少1行的像素的信号输出从设在前述行像素信号取入电路的输出电路予以读取的动作,而在前述信号电荷去除动作执行的期间,对于连接于排在前述至少一行的像素的前述第5半导体区域的像素选择线施加前述低电平电压,并且对于连接于排在其它行的像素的像素选择线施加前述高电平电压,而在施加该高电平电压的高电平电压施加期间中,对于连接在包括前述像素的列的前述信号线施加高电平电压。
7.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其特征在于,形成绝缘层以包围前述第2半导体区域、前述第3半导体区域及前述第4半导体区域,并且形成光遮蔽导体层以包围前述绝缘层。
8.根据权利要求7所述的固体摄像器件,其特征在于,前述光遮蔽导体层形成于前述像素区域的像素的前述岛状半导体侧面,并且跨及前述像素区域的整体而连续形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的