[发明专利]纳米压印用固化性组合物、纳米压印成形体以及图案形成方法有效
申请号: | 201280008915.6 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN103392221A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 关根均;高田泰广;谷本尚志;矢木直人 | 申请(专利权)人: | DIC株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;C08F290/06 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种用于按压纳米压印用模具来转印微细凹凸图案的“纳米压印”的、含有复合树脂的纳米压印用固化性组合物,所述复合树脂具有硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基及聚合性双键的聚硅氧烷链段、和该聚硅氧烷以外的聚合物链段。另外,提供使用该纳米压印组合物的纳米压印成形体、抗蚀膜、树脂模具和图案形成方法。 | ||
搜索关键词: | 纳米 压印 固化 组合 成形 以及 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米压印用固化性组合物,其特征在于,其含有复合树脂(A)和光聚合引发剂,所述复合树脂(A)是由具有通式(1)和/或通式(2)所示的结构单元及硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基的聚硅氧烷链段(a1)与乙烯基系聚合物链段(a2)通过通式(3)所示的键连接而成的,[化学式1]
[化学式2]
通式(1)和(2)中,R1、R2和R3分别独立地表示选自由-R4-CH=CH2、-R4-C(CH3)=CH2、-R4-O-CO-C(CH3)=CH2和-R4-O-CO-CH=CH2组成的组中的具有一个聚合性双键的基团、碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为3~8的环烷基、芳基或碳原子数为7~12的芳烷基,R1、R2和R3中的至少一者为所述具有聚合性双键的基团,其中,R4表示单键或碳原子数为1~6的亚烷基,[化学式3]
通式(3)中,碳原子构成所述乙烯基系聚合物链段(a2)的一部分,仅与氧原子键合的硅原子构成所述聚硅氧烷链段(a1)的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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