[发明专利]通过利用基于高温超导体层的直接接触的部分微熔扩散压接的第二代ReBCO高温超导体的接合及供氧退火热处理的超导恢复方法无效

专利信息
申请号: 201280003809.9 申请日: 2012-10-29
公开(公告)号: CN103875125A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 吴荣根;安熙成;李明勋;李海根 申请(专利权)人: K.约恩
主分类号: H01R4/68 分类号: H01R4/68;H01R9/11;H01B12/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 杨生平;钟锦舜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开通过化学湿式蚀刻或等离子干式蚀刻等来去除两条高温超导体的稳定化层后,使两个高温超导体层的表面之间直接接触,并将其在真空状态下、在热处理炉内进行加热,对高温超导体层的表面进行部分微熔,使得原子相互扩散,从而接合两个超导体层的表面的第二代ReBCO高温超导体的接合方法。
搜索关键词: 通过 利用 基于 高温 超导体 直接 接触 部分 扩散 第二代 rebco 接合 供氧 退火
【主权项】:
一种通过ReBCO高温超导体的接合及供氧退火热处理的超导恢复方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(a),准备作为接合对象的、分别包含ReBCO高温超导体层的2条ReBCO高温超导体,其中,所述ReBCO为ReBa2Cu3O7‑x,在此,Re为稀土类元素,0≤x≤0.6;步骤(b),在各上述ReBCO高温超导体的接合部位加工孔;步骤(c),通过蚀刻使各上述ReBCO高温超导体的接合部位的ReBCO高温超导体层暴露;步骤(d),排列ReBCO高温超导体,以使各上述ReBCO高温超导体层的暴露面互相直接接触、或者使各上述ReBCO高温超导体层的暴露面与第三ReBCO高温超导体的ReBCO高温超导体层的暴露面直接接触;步骤(e),向热处理炉投入各暴露面互相接触的高温超导体后,将上述热处理炉的内部维持为真空状态;步骤(f),对上述热处理炉的内部进行升温,对各上述ReBCO高温超导体的多个ReBCO高温超导体层暴露面进行部分微熔扩散压接;步骤(g),在氧气氛下,对上述ReBCO高温超导体的接合部位进行热处理,从而向各上述ReBCO高温超导体的ReBCO高温超导体层供氧;步骤(h),对上述ReBCO高温超导体的接合部位涂敷银Ag,以便在上述ReBCO高温超导体的接合部位产生过电流时使上述过电流旁通而不产生淬火;以及步骤(i),用焊料或环氧树脂对涂敷有银的上述ReBCO高温超导体的接合部位进行加强。
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  • 一种用于对两个超导体(12,22)的末端件(12a,22a)进行接触的超导连接装置(10),所述超导体各具有至少一个嵌在一由常导材料构成的基质(4)中的导体线芯(3i,13,23),所述导体线芯由超导MgB2材料构成且被一阻隔材料(5)直接包围。在一连接区(8)内的一套管(6)或套筒(9)中,所述末端件(12a,22a)的导体线芯(3i,13,23)被至少部分剥除所述基质材料(4)且未设所述阻隔材料(5),另外还存在作为超导接触材料(7)的二硼化镁(MgB2)材料,所述二硼化镁材料至少位于所述导体线芯(3i,13,23)之间的分区内。建立所述连接(10)时,减小经此充填处理的套管(6)或套筒(9)的截面。
  • 低温绝缘超导电缆屏蔽导体引出装置及互连结构-201010281477.3
  • 宗曦华;韩云武;张智勇;张喜泽;张大义;牟永斌;魏东;应启良 - 上海电缆研究所
  • 2010-09-14 - 2011-03-02 - H01R4/68
  • 本发明公开了一种低温绝缘超导电缆屏蔽导体引出装置及互连结构,屏蔽导体引出装置由导电材料制成,包括一套筒部和一引出部,所述套筒部为圆筒形并具有一中心通孔,所述引出部从所述套筒部的侧面向外延伸,引出部内具有一连接孔。屏蔽导体互连结构包括两根相邻的低温绝缘超导电缆,所述低温绝缘超导电缆包括绝缘芯和绝热套,所述绝缘芯的外层为屏蔽导体,每根低温绝缘超导电缆的绝缘芯上都套有一个屏蔽导体引出装置,两根低温绝缘超导电缆的屏蔽导体引出装置之间通过引出线相连,引出线的两端分别连接在两个屏蔽导体引出装置的连接孔内,所述引出线的外面设有引出绝热套,引出绝热套的两端分别与所述两根低温绝缘超导电缆的绝热套相连通。
  • 管内电缆超导导体接头-201020143893.2
  • 刘华军;武玉;任志斌;龙风;彭晋卿 - 中国科学院等离子体物理研究所
  • 2010-03-25 - 2011-01-05 - H01R4/68
  • 本实用新型公开了管内电缆超导导体接头,包括有铜基体,铜基体的上端面上设有条形的凹槽一,铜基体内设有氦通道,铜基体上端面上固定焊接贴合有上盖板,上盖板的下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二,凹槽一和凹槽二对合形成锡通道,上盖板中心开有条形安装槽,条形安装槽内固定有预压盖板;铜基体和上盖板的左端面上固定有下座,下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔;铜基体和上盖板的右端面上固定有上座,上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡流道,上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口,上盖板、预压盖板、上座和下座的材质均采用不锈钢。本实用新型具有减小接触电阻、提高接头传热性能、提高超导导体接头运行稳定性和安全性的特点。
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