[发明专利]氮化镓类半导体发光元件、光源和凹凸构造形成方法无效
| 申请号： | 201280003354.0 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103155182A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 藤金正树;井上彰;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓类半导体发光元件，在进行对具有除c面外的结晶面的氮化物半导体发光元件的光提取面（50）的表面的润湿性进行控制的表面改性之后，在粒子层对表面进行覆盖。其后，通过进行蚀刻，将粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上且800nm以下的凹凸构造（60）形成在光提取面（50）。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 发光 元件 光源 凹凸 构造 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓类半导体发光元件，其特征在于，具备：半导体层叠构造，其由氮化镓类半导体形成，包含生成偏振光的活性层；和与所述半导体层叠构造接触，将载流子注入所述活性层的电极构造，其中，所述半导体层叠构造在除c面外的结晶面的至少一部分具备形成有凹凸构造的光提取面，所述凹凸构造配置于所述结晶面上，具有相对于所述光提取面的法线方向非轴对称的形状的凸部，所述凹凸构造中的粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上800nm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280003354.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能安全帽
- 下一篇：一种JavaScript代码的混淆方法和装置
