[实用新型]氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构

摘要

本实用新型提供氧化物半导体薄膜探测器及将有源像素应用于该探测器的电路结构，薄膜探测器由有源像素以矩阵形式排列，有源像素包括形成于基板上的薄膜晶体管和光电二极管，薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、有源区、漏极、源极及第二绝缘层，光电二极管包括n极电极、n掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、p掺杂非晶硅层及p极电极。本实用新型的薄膜晶体管的有源区为铟镓锌氧化物薄膜；铟镓锌氧化物薄膜载流子迁移率大约是非晶硅的20~50倍，可将有源像素应用于本实用新型中，从而降低信号噪声，使其在满足大尺寸薄膜探测器的同时有效提高图像质量，还可以提高薄膜探测器的开口率和成像速度；本实用新型为低成本的薄膜探测器，应用于X射线平板探测器。

主权项

一种氧化物半导体薄膜探测器，该薄膜探测器由有源像素以矩阵形式排列，其中，所述有源像素包括形成于基板上的薄膜晶体管和光电二极管、覆盖于所述薄膜晶体管和光电二极管的第三绝缘层、以及穿过所述第三绝缘层连接于所述光电二极管的电极，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：位于所述基板上的栅极，形成于所述栅极及基板上的第一绝缘层，形成于所述第一绝缘层上并与所述栅极相对应的、由铟镓锌氧化物薄膜构成的有源区，以及结合于所述有源区之上的第二绝缘层、漏极和源极；所述光电二极管包括：形成于所述第一绝缘层上的、作为n极电极的漏极，依次位于所述n极电极上的n掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、p掺杂非晶硅层及p极电极。