[实用新型]一种发光二极管芯片有效
申请号: | 201220489823.1 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN202957243U | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 金豫浙;张昊翔;封飞飞;万远涛;李东昇;江忠永 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种发光二极管芯片,包括生长基板;两个以上发光二极管单元,形成于所述生长基板上,相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离;非金属导线,覆盖于所述深沟槽上,相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联;金属电极焊盘,形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。本实用新型所述发光二极管芯片采用非金属导线作为发光二极管单元之间的互连结构,相比于金属材料的导线厚度大且透光性差,所述非金属导线具有更好的透光性且厚度可以相对薄一些,且在高压驱动时,台阶拐角处不易出现熔断导致芯片失效的问题,从而不仅提高了有效的出光面积,同时提高了发光二极管芯片的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,其特征在于,包括: 生长基板; 两个以上发光二极管单元,形成于所述生长基板上,相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离; 非金属导线,覆盖于所述深沟槽上,相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联; 金属电极焊盘,形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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