[实用新型]一种发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括： 

生长基板； 

两个以上发光二极管单元，形成于所述生长基板上，相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离； 

非金属导线，覆盖于所述深沟槽上，相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联； 

金属电极焊盘，形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。 

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，每一发光二极管单元由底层向上依次包括第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层。 

3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层的总和厚度为4μm～8μm。 

4.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一类型半导体层为N型半导体层，所述第二类型半导体层为P型半导体层。 

5.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，每一所述发光二极管单元的第一类型半导体层依次通过所述非金属导线与其相邻的发光二极管单元的第二类型半导体层电连接，形成串联回路。 

6.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管单元的第一类型半导体层通过所述非金属导线分别电连接，所述发光二极管单元的第二类型半导体层通过所述非金属导线分别电连接，形成并联回路。 

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述非金属导线为透光率大于50％的金属化合物。 

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述非金属导线的电阻率小于1×10^-3Ω·cm。 

9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述非金属导线的材 质为铟锡氧化物、掺铟锌氧化物、掺镓锌氧化物、掺铝锌氧化物或石墨烯中的一种。 

10.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述深沟槽的开口间距大于底部间距。 

11.如权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述深沟槽的底部间距大于5μm，且所述深沟槽的开口间距与其底部间距的比例值大于1.2。 

12.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括透明绝缘保护层，所述透明绝缘保护层隔离所述非金属导线与所述发光二极管单元的第二类型半导体层和发光层。 

13.如权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属电极焊盘包括第一类型金属电极焊盘和第二类型金属电极焊盘，所述第一类型金属电极焊盘形成于发光二极管芯片的最外围的一发光二极管芯片的第一类型半导体层上，所述第二类型打线层位于与所述第一类型金属电极焊盘距离最远的发光二极管芯片的第二类型半导体层上。 

14.如权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一类型金属电极焊盘为N型金属电极焊盘，所述第二类型金属电极焊盘为P型金属电极焊盘。 

15.如权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于，透明绝缘保护层为氧化硅、氮化硅、氧化钛、硅胶或环氧树脂中的一种。 

16.如权利要求1至15中任意一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片为高压发光二极管芯片。