[实用新型]无引脚的功率MOSFET器件

摘要

本实用新型公开一种无引脚的功率MOSFET器件，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，此漏极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料导电层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型功率MOSFET器件有利于减少欧姆接触电阻，提高了电性能指标，同时也减少热量的产生。

主权项

一种无引脚的功率MOSFET器件，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的漏极引脚（321）组成，此漏极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过软焊料导电层（6）电连接；所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8）；一铝导体带（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间；一金属线（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间。