[发明专利]化学气相沉积设备无效

专利信息
申请号: 201210592824.3 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN103074598A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 梁秉文 申请(专利权)人: 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/54;H01L33/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 314300 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种化学气相沉积设备。采用了多个生长腔室,将沉积的多层材料层分在多个生长腔室内进行,至少两个生长腔室用于生长多层材料层的不同层材料层,如此一方面使得不同的生长腔室能够很容易满足不同材料层生长的温度、压强等条件不同的需要,另一方面,各个生长腔室可以较佳的控制反应时间,从而使得生产过程中尽可能的避免某一或某些腔室处于等待状态的问题,大大的提高了生产效率,同时,设置有多个基座,每一个基座承载基片在该基座对应的生长腔室中沉积对应的材料层,避免了基座上沉积其它材料层物质对正在沉积的材料层造成污染,从而提高了产品质量。
搜索关键词: 化学 沉积 设备
【主权项】:
一种适用于多层材料层沉积的化学气相沉积设备,其特征在于,包括:传送腔室、多个生长腔室及多个门阀,所述多个生长腔室分别位于所述传送腔室的外侧,并皆通过所述门阀与所述传送腔室相接通;所述化学气相沉积设备进一步包括多个基座,每个所述基座对应一个所述生长腔室,基片被依次直接设置在所述多个基座上,每个所述基座承载所述基片在所述基座对应的生长腔室中沉积一层材料,其中,至少两个所述生长腔室用于生长所述多层材料层的不同层材料。
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