[发明专利]化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种适用于多层材料层沉积的化学气相沉积设备，其特征在于，包括：传送腔室、多个生长腔室及多个门阀，所述多个生长腔室分别位于所述传送腔室的外侧，并皆通过所述门阀与所述传送腔室相接通；所述化学气相沉积设备进一步包括多个基座，每个所述基座对应一个所述生长腔室，基片被依次直接设置在所述多个基座上，每个所述基座承载所述基片在所述基座对应的生长腔室中沉积一层材料，其中，至少两个所述生长腔室用于生长所述多层材料层的不同层材料。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述多层材料层包括LED外延片的缓冲层、N型半导体层、量子阱发光层和P型半导体层。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述生长腔室包括第一生长腔室、第二生长腔室和第三生长腔室；所述第一生长腔室用于生长所述N型半导体层，所述第二生长腔室用于生长所述量子阱发光层，所述第三生长腔室用于生长所述P半导体层。

4.如权利要求3所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述生长腔室包括N个所述第一生长腔室、X个所述第二生长腔室和Y个所述第三生长腔室，其中所述N、X和Y均为大于等于1的自然数；在每个所述第一生长腔室生长所述N型半导体层厚度的1/N；在每个所述第二生长腔室生长所述量子阱发光层厚度的1/X；在每个所述第三生长腔室生长所述P型半导体层厚度的1/Y。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一生长腔室、所述第二生长腔室和所述第三生长腔室的数量之比使得基片在各个生长腔室中的生长时间之差小于等于10分钟。

6.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一生长腔室、所述第二生长腔室和所述第三生长腔室的数量之比等于沉积所述N型半导体层、所述量子阱发光层和所述P半导体层的时间之比。

7.如权利要求4所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述N型半导体层为N型氮化镓层，所述量子阱发光层为镓铟化氮和氮化镓多量子阱层，所述P半导体层为P型氮化镓层；所述第一生长腔室、所述第二生长腔室和所述第三生长腔室的数量之比为3：5：1。

8.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括多个基座台，所述基座台位于所述传输腔室内，每个所述基座台对应一个所述生长腔室，每个所述基座在对应的生长腔室和对应的基座台之间传输。

9.如权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括装载器，所述装载器在基座位于基座台上时将所述基片在基座之间传递。

10.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备还包括装载腔室，所述装载腔室位于所述传送腔室外的另一侧，并通过所述门阀与所述传送腔室相接通。

11.如权利要求10所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述装载腔室包括基座装载腔室、基片装载腔室及成品装载腔室，所述基座装载腔室用于承载所述基座，所述基片装载腔室用于从外界接收基片，并经所述基座传送到生长腔室中，所述成品装载腔室用于接收完成所述多层材料层生长后的基片。