[发明专利]多位非挥发存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 201210590504.4 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103066131A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 潘立阳;刘利芳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多位非挥发存储器及其操作方法，该存储器包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的沟槽；形成在所述半导体衬底中、所述沟槽两侧的源区和漏区；形成在所述沟槽的下侧壁和底壁上的第一隧穿介质层，形成在所述第一隧穿介质层上的调控栅；和形成在所述沟槽的上部的栅结构，所述栅结构包括：形成在所述沟槽的上侧壁和所述调控栅上的第二隧穿介质层、形成在所述第二隧穿介质层上的电荷俘获层、形成在所述电荷俘获层上的阻挡介质层、形成在所述阻挡介质层上的栅极。根据本发明实施例的非挥发存储器，具有编程功耗低、编程窗口大、器件的操作可靠性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 多位非 挥发 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种多位非挥发存储器，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的沟槽；形成在所述半导体衬底中、所述沟槽两侧的源区和漏区；形成在所述沟槽的下侧壁和底壁上的第一隧穿介质层，形成在所述第一隧穿介质层上的调控栅；和形成在所述沟槽的上部的栅结构，所述栅结构包括：形成在所述沟槽的上侧壁和所述调控栅上的第二隧穿介质层、形成在所述第二隧穿介质层上的电荷俘获层、形成在所述电荷俘获层上的阻挡介质层、形成在所述阻挡介质层上的栅极。
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