[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210572245.2 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103489925A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 金相基;李镇浩;罗景一;具珍根;梁壹锡 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明构思提供半导体装置及其制造方法。该半导体装置可包括：第一导电类型的半导体基板，包括凹陷区域；第二导电类型的离子注入层，与半导体基板的凹陷区域的底部接触，第二导电类型不同于第一导电类型；扩散阻挡图案，设置在离子注入层的侧壁与凹陷区域的侧壁之间；接触电极，与扩散阻挡图案间隔开并且设置在离子注入层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基板，包括凹陷区域；第二导电类型的离子注入层，与该半导体基板的该凹陷区域的底部接触，该第二导电类型不同于该第一导电类型；扩散阻挡图案，设置在该离子注入层的侧壁与该凹陷区域的侧壁之间；以及接触电极，与该扩散阻挡图案间隔开且设置在该离子注入层。
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