[发明专利]具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210568595.1 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103531591A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 柳尙希 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管包括布置在基板上的栅极，布置在栅极上的栅绝缘膜，布置在栅绝缘膜上并包括金属氧化物的有源层，与有源层的一侧相接触的源极和与有源层的另一侧相接触的像素电极，和插入到源极和像素电极之间的蚀刻终止层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，包括：布置在基板上的栅极；布置在栅极上的栅绝缘膜；布置在栅绝缘膜上并包括金属氧化物的有源层；与有源层基本上平行于基板的一侧相接触的源极和与有源层基本上平行于基板的另一侧相接触的像素电极；和插入到源极和像素电极之间的蚀刻终止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
