[发明专利]具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

布置在基板上的栅极；

布置在栅极上的栅绝缘膜；

布置在栅绝缘膜上并包括金属氧化物的有源层；

与有源层基本上平行于基板的一侧相接触的源极和与有源层基本上平行于基板的另一侧相接触的像素电极；和

插入到源极和像素电极之间的蚀刻终止层。

2.根据权利要求1的薄膜晶体管基板，其中像素电极直接与有源层的一侧的下部接触。

3.根据权利要求2的薄膜晶体管基板，其中像素电极完全被蚀刻终止层覆盖。

4.根据权利要求1的薄膜晶体管基板，其中源极通过蚀刻终止层中的接触孔，直接与有源层的一侧的上部接触。

5.根据权利要求1的薄膜晶体管基板，进一步包括：

布置在蚀刻终止层上并与有源层相邻设置的数据线；

布置在数据线和蚀刻终止层上的钝化膜；和

布置在钝化膜上的公共电极。

6.根据权利要求5的薄膜晶体管基板，其中

钝化膜包括暴露出有源层的一侧的上部的第一通孔和暴露出数据线的第二通孔。

7.根据权利要求6的薄膜晶体管基板，其中

源极通过第一通孔和第二通孔与有源层的一侧的上部和数据线相接

触。

8.根据权利要求7的薄膜晶体管基板，其中

源极包括与公共电极相同的材料。

9.根据权利要求1的薄膜晶体管基板，其中

源极直接与有源层的一侧的下部接触。

10.根据权利要求9的薄膜晶体管基板，其中

像素电极布置在蚀刻终止层上并通过形成在蚀刻终止层上的接触孔与有源层接触。

11.根据权利要求10的薄膜晶体管基板，其中

源极完全被蚀刻终止层覆盖。

12.一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括：

在基板上形成栅极；

在栅极上形成栅绝缘膜；

在栅绝缘膜上形成包括金属氧化物的有源层；

形成与有源层的一侧相接触的源极以及与有源层的另一侧相接触的像素电极；和

在源极和像素电极之间形成蚀刻终止层。

13.根据权利要求12的方法，进一步包括：

在形成了源极的基板上形成钝化膜；和

在钝化膜上形成公共电极。

14.一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括：

在基板上形成栅极；

在栅极上形成栅绝缘膜；

在栅绝缘膜上形成像素电极；

在栅绝缘膜上形成包括金属氧化物的有源层以与像素电极的一侧相接触；

在有源层和像素电极上形成蚀刻终止层；

在蚀刻终止层上形成与有源层相邻的数据线；

在形成有数据线的基板上形成钝化膜，其中形成暴露出有源层的第一通孔和暴露出数据线的第二通孔；和

在钝化膜上形成公共电极和源极，其中源极形成为通过第一通孔和第二通孔与有源层和数据线接触。

15.一种薄膜晶体管基板，包括：

布置在基板上的栅极；

布置在栅极上的栅绝缘膜；

布置在栅绝缘膜上并包括金属氧化物的有源层；

覆盖至少部分有源层的蚀刻终止层；

至少部分覆盖蚀刻终止层和有源层的源极；和

至少部分被有源层和蚀刻终止层覆盖的像素电极。

16.根据权利要求15的薄膜晶体管基板，其中：

蚀刻终止层覆盖除了穿过蚀刻终止层的孔以外的有源层；和

源极通过该孔与有源层接触。

17.根据权利要求15的薄膜晶体管基板，进一步包括：

布置在源极和蚀刻终止层上的钝化膜；和

在与有源层相邻的区域，布置在钝化膜上的公共电极。

18.根据权利要求17的薄膜晶体管基板，其中，在与有源层相邻的区域，像素电极覆盖栅绝缘膜并且被蚀刻终止层、钝化膜和公共电极所覆盖。