[发明专利]MIM电容及其制作方法

摘要

一种MIM电容及其制作方法。其中制作方法通过在第二导电层（用于形成MIM电容上极板）上设置覆盖层，在干法刻蚀形成各自暴露第一导电层（下极板）、第二导电层的通孔过程中，刻蚀气体选择满足对该覆盖层的刻蚀速率慢于对介电层的刻蚀速率，使得从相同高度位置同时对包埋第二导电层及第一导电层的介电层进行刻蚀过程中，避免对第二导电层（上极板）进行过度刻蚀，从而降低MIM电容被击穿的几率，提高MIM电容的可靠性。

主权项

一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括：在基底上淀积第一导电层；在所述第一导电层上淀积电容介电层；在所述电容介电层上淀积第二导电层；在所述第二导电层上淀积覆盖层；去除部分区域的所述覆盖层及第二导电层以形成窗口；在所述窗口及窗口外的所述覆盖层上形成介电层并平坦化所述介电层；在所述介电层上进行干法刻蚀以形成暴露所述第一导电层的第一通孔与暴露所述第二导电层的第二通孔，其中，第一通孔位于所述窗口所在区域内，第二通孔位于所述窗口所在区域外；所述干法刻蚀采用的气体对所述介电层的刻蚀速率大于对所述覆盖层的刻蚀速率；在所述第一通孔与第二通孔内填入导电材质以形成导电插塞。