[发明专利]钝化后互连件结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210559178.0 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103681611B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 陈宪伟;陈英儒 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L23/498
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了钝化后互连件结构及其形成方法。器件包括金属焊盘、与金属焊盘的边缘部分重叠的钝化层、以及位于钝化层上方的第一聚合物层。钝化后互连件(PPI)具有覆盖第一聚合物层的水平部分和具有连接到水平部分的顶部的插头部分。插头部分延伸到第一聚合物层的内部。插头部分的底面与介电材料相接触。第二聚合物层覆盖第一聚合物层。
搜索关键词: 钝化 互连 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:金属焊盘;钝化层,与所述金属焊盘的边缘部分重叠;第一聚合物层,位于所述钝化层的上方;钝化后互连件(PPI),包括:水平部分,覆盖所述第一聚合物层;和插头部分,包括连接至所述水平部分的顶部,所述插头部分延伸进所述第一聚合物层,所述插头部分的底面与介电材料相接触;以及第二聚合物层,覆盖所述第一聚合物层,其中,所述第二聚合物层包括与所述插头部分重叠的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210559178.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top