[发明专利]钝化后互连件结构及其形成方法有效
申请号: | 201210559178.0 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103681611B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 陈宪伟;陈英儒 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L23/498 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了钝化后互连件结构及其形成方法。器件包括金属焊盘、与金属焊盘的边缘部分重叠的钝化层、以及位于钝化层上方的第一聚合物层。钝化后互连件(PPI)具有覆盖第一聚合物层的水平部分和具有连接到水平部分的顶部的插头部分。插头部分延伸到第一聚合物层的内部。插头部分的底面与介电材料相接触。第二聚合物层覆盖第一聚合物层。 | ||
搜索关键词: | 钝化 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:金属焊盘;钝化层,与所述金属焊盘的边缘部分重叠;第一聚合物层,位于所述钝化层的上方;钝化后互连件(PPI),包括:水平部分,覆盖所述第一聚合物层;和插头部分,包括连接至所述水平部分的顶部,所述插头部分延伸进所述第一聚合物层,所述插头部分的底面与介电材料相接触;以及第二聚合物层,覆盖所述第一聚合物层,其中,所述第二聚合物层包括与所述插头部分重叠的部分。
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