[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法和制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。所述非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括由P型半导体构成的多个有源区；第一垂直存储串和第二垂直存储串，所述第一垂直存储串和第二垂直存储串被设置在每个有源区之上，其中，所述第一存储串和所述第二存储串每个都包括从衬底垂直延伸的沟道，多个存储器单元以及选择晶体管，其中，所述多个存储器单元和选择晶体管沿着沟道布置；以及底栅，所述底栅插入在最下面的存储器单元与衬底之间，通过插入在底栅与沟道之间的第一栅电介质层与沟道接触，以及控制第一垂直存储串与第二垂直存储串的连接。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：衬底，所述衬底包括由P型半导体构成的多个有源区；第一垂直存储串和第二垂直存储串，所述第一垂直存储串和所述第二垂直存储串被设置在每个有源区之上，其中，所述第一垂直存储串和第二垂直存储串每个都包括从所述衬底垂直延伸的沟道，多个存储器单元以及选择晶体管，其中，所述多个存储器单元和选择晶体管沿着所述沟道布置；以及底栅，所述底栅插入在最下面的存储器单元与衬底之间，所述底栅通过插入在所述底栅与所述沟道之间的第一栅电介质层与所述沟道接触，以及所述底栅控制所述第一垂直存储串与所述第二垂直存储串的连接。