[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210553159.7 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887336A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一栅极结构；第一掺杂区具有一第一导电型，第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的一第二导电型；栅极结构形成第一掺杂区和第二掺杂区上；栅极结构包括一第一栅极部分和一第二栅极部分，彼此是以一间隙(gap)分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，形成于该第一掺杂区中，并具有相对于该第一导电型的一第二导电型；以及一栅极结构，位于该第一掺杂区和该第二掺杂区上，该栅极结构包括一第一栅极部分和一第二栅极部分，彼此是以一间隙(gap)分隔开。
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