[发明专利]功率半导体装置

摘要

本发明涉及功率半导体装置。在IGBT（1～3）及MOSFET（7～9）之中，配置于栅极控制电路（18）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（18）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（18）较远的位置的晶体管的栅极，在IGBT（4～6）及MOSFET（10～12）之中，配置于栅极控制电路（19）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（19）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（19）较远的位置的晶体管。从而在作为开关器件使IGBT和MOSFET并行动作而使用的功率半导体装置中，将装置整体小型化。

主权项

一种功率半导体装置，具备由串联地插入于供给第一电压的第一电源线与供给第二电压的第二电源线之间并互补地动作的第一及第二开关部构成的反相器；以及控制所述第一及第二开关部的各自的开关动作的第一及第二控制电路，将这些模块化，其中，所述第一开关部具有第一IGBT及第一MOSFET，各自的一个主电极与所述第一电源线连接，各自的另一个主电极与所述反相器的输出节点连接，所述第二开关部具有第二IGBT及第二MOSFET，各自的一个主电极与所述第二电源线连接，各自的另一个主电极与所述反相器的所述输出节点连接，在所述功率半导体装置的平面布局中，所述第一控制电路配置于与所述第一开关部对置的位置，所述第一IGBT及所述第一MOSFET中的一个配置于所述第一控制电路的附近，另一个配置于相比之下距离所述第一控制电路较远的位置，所述第二控制电路配置于与所述第二开关部对置的位置，所述第二IGBT及所述第二MOSFET中的一个配置于所述第二控制电路的附近，另一个配置于相比之下距离所述第二控制电路较远的位置，在所述第一IGBT及所述第一MOSFET之中，配置于所述第一控制电路的附近的晶体管，将从所述第一控制电路供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离所述第一控制电路较远的位置的晶体管的栅极，在所述第二IGBT及所述第二MOSFET之中，配置于所述第二控制电路的附近的晶体管，将从所述第二控制电路供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离所述第二控制电路较远的位置的晶体管。