[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1. 一种功率半导体装置，具备由串联地插入于供给第一电压的第一电源线与供给第二电压的第二电源线之间并互补地动作的第一及第二开关部构成的反相器；以及控制所述第一及第二开关部的各自的开关动作的第一及第二控制电路，将这些模块化，其中，

所述第一开关部具有第一IGBT及第一MOSFET，各自的一个主电极与所述第一电源线连接，各自的另一个主电极与所述反相器的输出节点连接，

所述第二开关部具有第二IGBT及第二MOSFET，各自的一个主电极与所述第二电源线连接，各自的另一个主电极与所述反相器的所述输出节点连接，

在所述功率半导体装置的平面布局中，

所述第一控制电路配置于与所述第一开关部对置的位置，所述第一IGBT及所述第一MOSFET中的一个配置于所述第一控制电路的附近，另一个配置于相比之下距离所述第一控制电路较远的位置，

所述第二控制电路配置于与所述第二开关部对置的位置，所述第二IGBT及所述第二MOSFET中的一个配置于所述第二控制电路的附近，另一个配置于相比之下距离所述第二控制电路较远的位置，

在所述第一IGBT及所述第一MOSFET之中，配置于所述第一控制电路的附近的晶体管，将从所述第一控制电路供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离所述第一控制电路较远的位置的晶体管的栅极，

在所述第二IGBT及所述第二MOSFET之中，配置于所述第二控制电路的附近的晶体管，将从所述第二控制电路供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离所述第二控制电路较远的位置的晶体管。

2. 如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，

所述第一IGBT及所述第一MOSFET是主电流在相对于半导体衬底主面垂直的方向上流动的纵型构造的晶体管，

关于配置于所述第一开关部内的所述第一控制电路的附近的晶体管，与其栅极连接的第一栅极焊盘在所述另一个主电极侧的平面内设置于所述第一控制电路一侧，第二栅极焊盘在所述另一个主电极侧的平面内设置于与所述第一控制电路相反的一侧，

来自所述第一控制电路的所述栅极控制信号供给至所述第一栅极焊盘，所述栅极控制信号从所述第二栅极焊盘输出，并供给至配置于距离所述第一控制电路较远位置的晶体管的栅极焊盘，

所述第二IGBT及所述第二MOSFET是主电流在相对于半导体衬底主面垂直的方向上流动的纵型构造的晶体管，

关于配置于所述第二开关部内的所述第二控制电路的附近的晶体管，与其栅极连接的第一栅极焊盘在所述另一个主电极侧的平面内设置于所述第二控制电路一侧，第二栅极焊盘在所述另一个主电极侧的平面内设置于与所述第二控制电路相反的一侧，

来自所述第二控制电路的所述栅极控制信号供给至所述第一栅极焊盘，所述栅极控制信号从所述第二栅极焊盘输出，并供给至配置于距离所述第二控制电路较远的位置的晶体管的栅极焊盘。

3. 如权利要求2所述的功率半导体装置，其中，

在所述第一开关部中，所述第一IGBT配置于所述第一控制电路的附近，

在所述第二开关部中，所述第二IGBT配置于所述第二控制电路的附近。

4. 如权利要求2所述的功率半导体装置，其中，

在所述第一开关部中，所述第一MOSFET配置于所述第一控制电路的附近，

在所述第二开关部中，所述第二MOSFET配置于所述第二控制电路的附近。

5. 如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，

所述第一IGBT的阈值电压设定得比所述第一MOSFET的阈值电压低，

所述第二IGBT的阈值电压设定得比所述第二MOSFET的阈值电压低。

6. 如权利要求1所述的功率半导体装置，其中，

所述第一开关部内的配置于距离所述第一控制电路较远的位置的晶体管在其栅极焊盘与栅极之间具有电阻元件，

所述第二开关部内的配置于距离所述第二控制电路较远的位置的晶体管在其栅极焊盘与栅极之间具有电阻元件。