[发明专利]氮化物半导体模板和发光二极管有效
| 申请号： | 201210539514.5 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165773A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 今野泰一郎;藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种低电阻且结晶性良好的氮化物半导体模板、和使用其的发光二极管。氮化物半导体模板（10）具备PSS基板（11）和在PSS基板（11）上形成、使最上层为添加了Si的Si掺杂GaN层（14）的III族氮化物半导体层，III族氮化物半导体层的总膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层（14）具有Si浓度倾斜层（14b），所述Si浓度倾斜层（14b）的载流子浓度朝着最表面慢慢降低，且在III族氮化物半导体层的最表面的载流子浓度为1×1017cm-3以上5×1017cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 模板 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体模板，其具备基板和在所述基板上形成、使最上层为添加了Si的Si添加层的III族氮化物半导体层，所述III族氮化物半导体层的总膜厚为4μm以上10μm以下，所述Si添加层具有Si浓度倾斜层，所述Si浓度倾斜层的载流子浓度朝着最表面慢慢降低，且在所述III族氮化物半导体层的最表面的载流子浓度为1×1017cm‑3以上5×1017cm‑3以下。
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