[发明专利]具有晶体管区域互连的半导体设备有效
| 申请号： | 201210539484.8 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165570A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | M·拉希德;I·Y·林;S·索斯;J·金;C·阮;M·泰拉比;S·约翰逊;S·坎格瑞;S·文卡特桑 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭露一种具有晶体管区域互连的半导体设备，其中提供一种用于实现至少一个逻辑组件的半导体设备。该半导体设备包含半导体衬底，其具有形成于该半导体衬底上的第一晶体管与第二晶体管。所述晶体管各包含源极、漏极与栅极。沟槽硅化物层使该第一晶体管的源极或漏极中之一电气连接至该第二晶体管的源极或漏极中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 区域 互连 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包含：半导体衬底；形成于该半导体衬底上的第一晶体管及第二晶体管；所述晶体管各包含源极、漏极与栅极；以及沟槽硅化物层，其将该第一晶体管的该源极或该漏极之一电气连接至该第二晶体管的该源极或该漏极之一。
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