[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201210513297.2 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN102983102A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 马禹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板制作方法,包括步骤:在基板上形成包括栅线、第一栅极、第二栅极、栅绝缘层、第一有源层及第二有源层的图形;形成包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极的图形,使第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成静电疏导薄膜晶体管,且使每相邻两条数据线间形成至少一个所述静电疏导薄膜晶体管,以疏导数据线的静电;形成包括过孔、像素电极的图形;形成外围电路,且将第二栅极连接至外围电路的低电平信号端。还公开了一种阵列基板及显示装置。本发明通过在阵列基板在相邻两条数据线间增加至少一个薄膜晶体管,使静电逐级消耗下去,避免了阵列基板在制作过程中发生静电击穿,从而提高良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括步骤:在基板上形成包括栅线、第一栅极、第二栅极、栅绝缘层、第一有源层及第二有源层的图形;形成包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极的图形,第一栅极、栅绝缘层、第一有源层、第一源极及第一漏极形成驱动薄膜晶体管;第二栅极、栅绝缘层、第二有源层、第二源极及第二漏极形成静电疏导薄膜晶体管,且使每相邻两条数据线间形成至少一个所述静电疏导薄膜晶体管,以疏导数据线的静电;形成包括钝化层、过孔及像素电极的图形;形成外围电路,且将所述第二栅极连接至外围电路的低电平信号端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210513297.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种能变型为床的桌子
- 下一篇:一种带反光灯的书包
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造