[发明专利]用于硅衬底上的III‑V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层

摘要

本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III‑V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层。

主权项

一种集成电路，包括：硅衬底，具有第一晶格结构；III族氮化物层，上覆所述硅衬底并且具有第二晶格结构；晶格匹配结构，布置在所述硅衬底和所述III族氮化物层之间，所述晶格匹配结构被配置成在所述第一晶格结构和所述第二晶格结构之间提供界面，所述晶格匹配结构包括：第一缓冲区，设置在所述硅衬底上方,并且包括与所述硅衬底直接接触的第一AlN层和与所述第一AlN层直接接触的第二AlN层；第二缓冲区，设置在所述第一缓冲区上方,并且包括彼此直接接触的多个梯度AlzGa1‑zN层，所述多个梯度AlzGa1‑zN层与所述第二AlN层直接接触；以及超晶格结构，整个设置在所述第二缓冲区上方，包括与所述多个梯度AlzGa1‑zN层中的一个直接接触的第一AlGaN层、与所述第一AlGaN层直接接触的第二AlGaN层、与所述第二AlGaN层直接接触的第三AlGaN层、与所述第三AlGaN层直接接触的第四AlGaN层，其中，所述第一AlGaN层和第三AlGaN层的每个均具有第一铝浓度，所述第二AlGaN层和第四AlGaN层的每个均具有第二铝浓度，所述第一铝浓度大于所述第二铝浓度。