[发明专利]具有石墨烯的硒化镉透明薄膜太阳电池有效
申请号: | 201210485432.7 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN102931249A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 黄代绘;李卫 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/0224;H01L31/073 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610031 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 具有石墨烯的硒化镉透明薄膜太阳电池是以硒化镉(CdSe)材料作吸收层,石墨烯为透明导电背接触层的薄膜太阳电池。这种太阳电池具有自支撑的作用,也可以移植到其他透明柔性或透明刚性衬底上。这种太阳电池具有较高的光电转换效率,同时,在近红外波段,太阳光仍然具有较高的透过率。因此,适合制作双结叠层太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 具有 石墨 硒化镉 透明 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种具有石墨烯的硒化镉透明薄膜太阳电池,其结构为:石墨烯/CdSe/ZnSe/ZnO,其特征是:石墨烯作为透明电池的背接触层,ZnO作为太阳电池的透明前电极,衬底可以是石墨烯本身,也可直接转移到可支撑的透明刚性衬底,还可以直接转移到可支撑的透明柔性衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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