[发明专利]半导体加工设备及其去气腔室和加热组件在审
申请号: | 201210483509.7 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN103839854A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 徐桂玲 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海;宋合成 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体加工设备及其去气腔室和加热组件,该加热组件包括:聚光罩,所述聚光罩具有位于中央的平面部和连接至所述平面部的周向边沿的弧形罩沿部;以及多个加热灯泡,所述多个加热灯泡设在所述平面部的内表面上。根据本发明实施例的加热组件,可以通过平面部和弧形罩沿部反射多个加热灯泡的光,这种结构使得加热组件的加热均匀性较好,加热灯泡发出的能量被全效反射到去气腔室内,增加了到达去气腔室内的基片上光线能量,使基片更快达到工艺温度,有利于提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 及其 去气腔室 加热 组件 | ||
【主权项】:
一种用于半导体加工设备的加热组件,其特征在于,包括:聚光罩,所述聚光罩具有位于中央的平面部和连接至所述平面部的周向边沿的弧形罩沿部;以及多个加热灯泡,所述多个加热灯泡设在所述平面部的内表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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