[发明专利]一种IC级硅片边缘加工方法无效
| 申请号： | 201210479547.5 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102956442A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吾勇军;陈锋;方强 | 申请（专利权）人： | 万向硅峰电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B28D5/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 林蜀 |
| 地址： | 324300 浙江省衢*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IC级硅片边缘加工方法，该方法是先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。采用本发明，在硅片的加工以及后续工序中因应力的原因导致的崩边、暗纹碎片现象减少，提高了成品率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ic 硅片 边缘 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种IC级硅片边缘加工方法，其特征在于先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
