[发明专利]一种IC级硅片边缘加工方法

权利要求书

1.一种IC级硅片边缘加工方法，其特征在于先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。

2.根据权利要求1所述的IC级硅片边缘加工方法，其特征在于其必要的加工参数及数值为：硅片边缘倒角的顶点到过保留层边缘倒角末端且垂直于硅片表面的直线的距离在130±100μm范围内，硅片边缘倒角的顶点到过去除层边缘倒角末端与硅片表面的交点且垂直于硅片表面的直线的垂直距离在500±100μm范围内，硅片边缘倒角的延长线与硅片表面的夹角在30±2°范围内。