[发明专利]一种IC级硅片边缘加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种IC级硅片边缘加工方法。

背景技术

 目前，将经滚圆加工的IC级硅单晶棒切割成硅片，由于硅片边缘表面比较粗糙，存在棱角、毛毛刺、崩边等缺陷，甚至还会出现裂缝以及其他缺陷，导致硅片边缘机械强度降低，还有颗粒沾污，因此就需要将硅片边缘倒角以消除所述缺陷。现有IC级硅片边缘加工通常为对称倒角，但是当将IC级硅片一侧的扩散层去除后，边缘倒角变成非对称倒角，如果继续采用对称倒角的方法倒角，由于其应力大，容易导致崩边、暗纹碎片。

发明内容

本发明的目的是提供能在扩散层去除后，防止加工时出现崩边和暗纹碎片的一种IC级硅片边缘加工方法。

本发明采取的技术方案是：一种IC级硅片边缘加工方法，其特征在于先将IC级硅片划分为去除层和保留层两部分，然后将去除层的边缘倒角成一种形状，将保留层的边缘倒角成另外一种形状，并且保留层边缘倒角所形成的形状相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角与所形成的保留层边缘倒角构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。

所述的IC级硅片边缘加工方法，其必要的加工参数及数值为：硅片边缘倒角的顶点到过保留层边缘倒角末端且垂直于硅片表面的直线的距离在130±100μm范围内，硅片边缘倒角的顶点到过去除层边缘倒角末端与硅片表面的交点且垂直于硅片表面的直线的垂直距离在500±100μm范围内，硅片边缘倒角的延长线与硅片表面的夹角在30±2°范围内。

采用本发明，由于IC级硅片经双面研磨分别去除硅片表面的切割损失层即去除层，再经过扩散工艺并去除的一侧扩散层即去除层后，此时的硅片仅仅包括保留层，这时的硅片边缘倒角就是保留层边缘倒角，而保留层边缘倒角相对于位于保留层一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称，因此，保留层边缘倒角是一种对称倒角，所以，在硅片的加工以及后续工序中因应力的原因导致的崩边、暗纹碎片现象减少，提高了成品率，降低了成本。

附图说明

图1为本发明的示意图。

图中的序号表示：去除层一4、去除层二5、保留层6、去除层三7、去除层边缘倒角一8、保留层边缘倒角9和去除层边缘倒角二10。

 具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。

参照图1，将硅单晶棒先行滚圆，然后垂直于单晶棒轴线切割，得到圆片状IC级硅片，厚度为590±10 μm，将该IC级硅片划分为去除层一4、去除层二5、去除层三7和保留层6；将去除层一4、去除层二5、去除层三7倒角成一种形状，如图中通常采用的斜倒角，即去除层边缘倒角一8和去除层边缘倒角二10；将保留层6边缘倒角成另一种形状，如图中的R型倒角，即保留层边缘倒角9；并且所形成的保留层边缘倒角9相对于位于保留层6一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称；由所形成的去除层边缘倒角一8和去除层边缘倒角二10与所形成的保留层边缘倒角9构成的硅片边缘倒角相应于位于硅片一半厚度处且平行于硅片表面的平面非对称。其中，采用与所述硅片边缘倒角形状相同的模具同时加工去除层边缘倒角一8和去除层边缘倒角二10和保留层边缘倒角9.必要的加工参数及数值为：硅片边缘的顶点到过保留层边缘倒角9末端（去除层边缘倒角二10始端）且垂直于硅片表面的直线的距离B在130±100μm范围内，硅片边缘倒角的顶点到“过去除层边缘倒角8末端与硅片表面的交点、且垂直于硅片表面”的直线的距离A在500±100μm范围内，硅片边缘倒角的延长线与硅片表面的夹角θ在30±2°范围内。

在上述中，由于采用IC级硅片非对称边缘加工方法的加工的IC级硅片，经双面研磨分别去除硅片表面的切割损失层即去除层去除层一4、去除层三7，再经过扩散工艺并去除的一侧扩散层即去除层二5后，此时的硅片仅仅包括保留层6，这时的硅片边缘倒角就是保留层边缘倒角9，而保留层边缘倒角9相对于位于保留层6一半厚度处且平行于硅片表面的平面对称，因此，保留层边缘倒角9是一种对称倒角，所以，在硅片的加工以及后续工序中因应力的原因导致的崩边、暗纹碎片现象减少，提高了成品率，降低了成本。