[发明专利]铁电晶体膜、电子元件、铁电晶体膜的制造方法和铁电晶体膜的制造装置无效
| 申请号： | 201210479358.8 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103456723A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;本多祐二;饭塚大助;秦健次郎 | 申请（专利权）人： | 友技科株式会社;新科实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02;C04B35/49 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种籽晶膜的取向得到良好地转印，并且具有适于量产的成膜速度的铁电晶体膜的制造方法。一种铁电晶体膜的制造方法，其特征在于，在基板(10)上通过溅射使籽晶膜(14)进行外延生长并形成，在所述籽晶膜上通过旋涂涂布法形成含有铁电体材料的非晶膜，在氧气氛中加热所述籽晶膜和所述非晶膜，由此使所述非晶膜氧化而晶体化，从而形成铁电体涂布烧结晶体膜(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 电晶体 电子元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种铁电晶体膜，其特征在于，具备：通过溅射法在基板上形成且沿规定的面取向的铁电体籽晶膜；和形成于所述铁电体籽晶膜上的铁电体涂布烧结晶体膜，其中，所述铁电体涂布烧结晶体膜是涂布在有机溶剂中含有包含该铁电体涂布烧结晶体膜的成分金属的全部或一部分的金属化合物及其部分缩聚物的溶液，并进行加热而使之晶体化的膜。
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