[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210465069.2 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103824814A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪;施彦豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括以下步骤：于衬底上形成排列的半导体单元；于半导体单元上形成材料层；于半导体单元上形成第一图案化掩模层；第一图案化掩模层具有掩模开口对应半导体单元的一部分并露出材料层；移除掩模开口露出的部分材料层，留下材料层位于掩模开口露出的各个半导体单元的侧壁上的部分以形成间隙壁结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：于一衬底上形成排列的多个半导体单元；于该多个半导体单元上形成一材料层；于该多个半导体单元上形成一第一图案化掩模层，该第一图案化掩模层具有一掩模开口对应该多个半导体单元的一部分并露出该材料层；以及移除该掩模开口露出的部分该材料层，留下该材料层位于该掩模开口露出的各该多个半导体单元的侧壁上的部分以形成多个间隙壁结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
