[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210460104.1 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103177760B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 卢侑炫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 周晓雨,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器件及其操作方法。所述方法包括以下步骤执行整体擦除操作以使选中的存储器单元块中的与偶数字线和奇数字线连接的所有存储器单元的每个阈值电压都低于第一目标电平；执行擦除操作以使与偶数字线连接的存储器单元的每个阈值电压低于第二目标电平，所述第二目标电平比第一目标电平更低；执行擦除操作以使与奇数字线连接的存储器单元的每个阈值电压低于第二目标电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：执行整体擦除操作以使选中的存储器单元块中的与偶数字线和奇数字线连接的所有存储器单元的每个阈值电压都低于第一目标电平；执行擦除操作以使与所述偶数字线连接的存储器单元的每个阈值电压低于第二目标电平；以及执行擦除操作以使与所述奇数字线连接的存储器单元的每个阈值电压低于所述第二目标电平，其中，所述第二目标电平比所述第一目标电平更低。
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