[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
申请号: | 201210460104.1 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103177760B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 卢侑炫 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/02 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 周晓雨,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种操作半导体存储器件的方法,所述方法包括以下步骤:
执行整体擦除操作以使选中的存储器单元块中的与偶数字线和奇数字线连接的所有存储器单元的每个阈值电压都低于第一目标电平;
执行擦除操作以使与所述偶数字线连接的存储器单元的每个阈值电压低于第二目标电平;以及
执行擦除操作以使与所述奇数字线连接的存储器单元的每个阈值电压低于所述第二目标电平,
其中,所述第二目标电平比所述第一目标电平更低。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述整体擦除操作包括:重复第一擦除步骤、第一擦除验证步骤、以及擦除电压升高步骤,直到所述选中的存储器单元块的所有存储器单元的每个阈值电压都低于所述第一目标电平。
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一擦除步骤包括:将具有接地电平的电压施加至所述选中的存储器单元块的所有字线,并且将擦除电压施加至所述选中的存储器单元块的阱。
4.如权利要求2所述的方法,其中,所述第一擦除验证步骤包括:对所述选中的存储器单元块的所有位线预充电、将第一验证电压施加至所述选中的存储器单元块的所有字线、以及通过在所述位线中检查所有存储器单元的状态来验证所有存储器单元的每个阈值电压是否都低于所述第一目标电平。
5.如权利要求2所述的方法,其中,所述擦除电压升高步骤包括:当在所述第一擦除验证步骤中判定出所述存储器单元中的至少一个存储器单元的阈值电压不低于所述第一目标电平时,将擦除电压升高步进电压那么大。
6.如权利要求1所述的方法,其中,对与所述偶数字线连接的存储器单元执行擦除操作的步骤包括:重复第二擦除步骤、第二擦除验证步骤、以及擦除电压升高步骤,直到与所述偶数字线连接的所有存储器单元的每个阈值电压都低于所述第二目标电平。
7.如权利要求6所述的方法,其中,所述第二擦除步骤包括:将具有接地电平的电压施加至所述选中的存储器单元块的偶数字线、将其余的奇数字线浮置、以及将擦除电压施加至所述选中的存储器单元块的阱。
8.如权利要求6所述的方法,其中,所述第二擦除验证步骤包括:对所述选中的存储器单元块的所有位线预充电、将与所述第二目标电平相对应的验证电压施加至所述偶数字线、将验证通过电压施加至其余的奇数字线、以及通过在所述位线中检查与所述偶数字线连接的存储器单元的状态来验证与所述偶数字线连接的存储器单元的每个阈值电压是否低于所述第二目标电平。
9.如权利要求6所述的方法,其中,所述擦除电压升高步骤包括:当在所述第二擦除验证步骤中判定出与所述偶数字线连接的存储器单元中的至少一个存储器单元的阈值电压不低于所述第二目标电平时,将擦除电压升高步进电压那么大。
10.如权利要求1所述的方法,其中,对与所述奇数字线连接的存储器单元执行擦除操作的步骤包括:重复第三擦除步骤、第三擦除验证步骤、以及擦除电压升高步骤,直到与所述奇数字线连接的所有存储器单元的每个阈值电压都低于所述第二目标电平。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述第三擦除步骤包括:将具有接地电平的电压施加至所述选中的存储器单元块的奇数字线、将其余的偶数字线浮置、以及将擦除电压施加至所述选中的存储器单元块的阱。
12.如权利要求10所述的方法,其中,所述第三擦除验证步骤包括:对所述选中的存储器单元块的所有位线预充电、将与所述第二目标电平相对应的验证电压施加至所述奇数字线、将验证通过电压施加至其余的偶数字线、以及通过在所述位线中检查与所述奇数字线连接的存储器单元的状态来验证与所述奇数字线连接的存储器单元的每个阈值电压是否低于所述第二目标电平。
13.如权利要求10所述的方法,其中,所述擦除电压升高步骤包括:当在所述第三擦除验证步骤中判定出与所述奇数字线连接的存储器单元中的至少一个存储器单元的阈值电压不低于所述第二目标电平时,将擦除电压升高步进电压那么大。
14.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一目标电平被设置在0V至-1V的范围内,所述第二目标电平被设置在比-1V更低的范围内。
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