[发明专利]一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 201210455201.1 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102938421A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;杨超;张春伟;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个P型结终端和4个等间距的P+型体区，且2个P型结终端的内边与邻近的2个P+型体区的外边相抵，在N-型外延层的上表面设有2个场氧化层和金属层，所述2个P型结终端的内边界分别与2个场氧化层的内边界对齐，金属层的2个边界分别与2个场氧化层的内边界相抵，所述P型结终端采用梯形结构，且外边长于内边。这种结构可以优化高场区的电场强度分布，从而有效地改善器件反向特性，并提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯形 终端 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底（1），在N+型衬底（1）上设有N型过渡外延层（2），在N型过渡外延层（2）上设有N‑型外延层（3），在N‑型外延层（3）的内部上方设有2个P型结终端（4）和4个等间距的P+型体区（5），且2个P型结终端（4）的内边与邻近的2个P+型体区（5）的外边相抵，在N‑型外延层（3）的上表面设有2个场氧化层（6）和金属层（7），所述2个P型结终端（4）的内边界分别与2个场氧化层（6）的内边界对齐，金属层（7）的2个边界分别与2个场氧化层（6）的内边界相抵，其特征在于，P型结终端（4）采用梯形结构，且外边长于内边。
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