[发明专利]一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件

权利要求书

1.一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底（1），在N+型衬底（1）上设有N型过渡外延层（2），在N型过渡外延层（2）上设有N-型外延层（3），在N-型外延层（3）的内部上方设有2个P型结终端（4）和4个等间距的P+型体区（5），且2个P型结终端（4）的内边与邻近的2个P+型体区（5）的外边相抵，在N-型外延层（3）的上表面设有2个场氧化层（6）和金属层（7），所述2个P型结终端（4）的内边界分别与2个场氧化层（6）的内边界对齐，金属层（7）的2个边界分别与2个场氧化层（6）的内边界相抵，其特征在于，P型结终端（4）采用梯形结构，且外边长于内边。

2.根据权利要求1所述的梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，其特征在于所述的P型结终端（4）的结深大于P+型体区（5）的结深。

3.根据权利要求1所述的梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，其特征在于所述的P型结终端（4）梯形结构的外边与内边的比例约为1~2：1。

4.根据权利要求1所述的梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，其特征在于所述的P+型体区（5）不局限于4个，可以更多，视器件具体电流能力需求而定。

5.根据权利要求1所述的梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，其特征在于所述的P型结终端（4）的掺杂浓度是4个P+型体区（5）的十分之一到五分之一。

6.根据权利要求1所述的梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，其特征在于所述的P型结终端（4）由2-4个P型结终端单元叠加而成，并且，P型结终端单元的纵向长度由内向外逐个增大。