[发明专利]一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210449288.1 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102956611B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 左青云;李铭;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法，其包括先在衬底中形成下层互连线，依次淀积阻挡层和介质层，然后在介质层中形成空气隙图形孔，在空气隙图形孔中淀积加热可分解材料，再在介质层表面淀积多孔介质层，接着经光刻刻蚀形成通孔，再在通孔中淀积金属，将加热可分解材料经加热分解从而在介质层中形成空气隙，最后经薄膜转移工艺和光刻刻蚀形成上层石墨烯纳米带互连线。因此，本发明的方法中通过采用石墨烯纳米带互连线替代传统的Cu金属互连，简化了制造工艺，并且在上、下层互连线交叠位置形成空气隙，能够有效地降低耦合电容，从而减少RC的延迟时间，提高了芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 石墨 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种空气隙/石墨烯互连结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底中的下层互连线；位于所述衬底上的阻挡层；位于所述阻挡层上的介质层；位于所述介质层上的多孔介质层；位于所述多孔介质层上的上层石墨烯纳米带互连线；贯穿所述阻挡层、所述介质层和所述多孔介质层的填充通孔；所述的下层互连线与所述多孔介质层、所述上层石墨烯纳米带互连线之间通过位于所述介质层中的空气隙相隔离；其中，所述空气隙位于所述上层石墨烯纳米带互连线和下层互连线的交叠区域。
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