[发明专利]半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法有效
| 申请号： | 201210446190.0 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102938374A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 徐谦刚;蒲耀川;王武汉;李昊;张晓情;张静;薛琳 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L21/223 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 鲜林 |
| 地址： | 741000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，工艺步骤：采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+5′(N2)技术在预留的磷穿透区域进行磷预扩散；采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+H2)+10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。本发明通过磷穿透工艺技术将分立器件不同表面的电极引至同侧，使分立器件芯片直接使用于整机成为可能。该工艺将分立器件产品制作成理论最小尺寸，进而进一步加快电子产品小型化、便携化的进程。同时减少了芯片封装二次加工环节，大大提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 分立 器件 晶圆级 封装 穿透 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，其特征在于包括以下步骤：a ）重新设计分立器件的结构：在常规分立器件局部或本体的周边设计磷穿透区域，为磷穿透工艺技术预留空间； b ）采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+ 5′(N2)，在预留的磷穿透区域进行磷预扩散； c ）采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+ H2)+ 10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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