[发明专利]半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法有效
| 申请号： | 201210446190.0 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102938374A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 徐谦刚;蒲耀川;王武汉;李昊;张晓情;张静;薛琳 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L21/223 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 鲜林 |
| 地址： | 741000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 分立 器件 晶圆级 封装 穿透 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，其特征在于包括以下步骤：
a ）重新设计分立器件的结构：在常规分立器件局部或本体的周边设计磷穿透区域，为磷穿透工艺技术预留空间；
b ）采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+ 5′(N2)，在预留的磷穿透区域进行磷预扩散；
c ）采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+ H2)+ 10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天水天光半导体有限责任公司，未经天水天光半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210446190.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
