[发明专利]半导体器件的接触结构有效
| 申请号： | 201210424958.4 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103579176B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁;叶凌彦;施启元;陈彦友 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括衬底，该衬底包括主表面和主表面之下的腔；腔中的应变材料，其中应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；位于应变材料上方的含Ge介电层；以及位于含Ge介电层上方的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件的接触结构，包括：衬底，包括主表面和位于所述主表面之下的腔；所述腔中的应变材料，其中所述应变材料的晶格常数不同于所述衬底的晶格常数；含Ge介电层，位于所述应变材料上方，所述含Ge介电层具有均匀厚度；以及金属层，位于所述含Ge介电层上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210424958.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高效率硅控整流装置
- 下一篇：一种卡门培尔型干酪及其制备方法
