[发明专利]一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法无效
申请号: | 201210408877.5 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN102931181A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 沈震强 | 申请(专利权)人: | 沈震强 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31;H03K17/78;H01L21/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201103 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法,通过在一个原有的双向可控硅光电耦合器的框架上封装两个双向可控硅光电耦合器的输出芯片并在这个框架上将它们串联起来,制造出一种高性能的提高单个光电耦合器输出端芯片耐高压指标的产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 两个 双向 可控硅 芯片 集成 一个 光电 耦合器 中的 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法,其特征在于在光电耦合器的金属框架输出端位置上安装两个双向可控硅输出芯片,芯片和框架之间用绝缘胶固定,两个双向可控硅输出芯片的各自一个主电极分别通过金属线焊接连接到引脚框架上达到串联作用,这两个双向可控硅输出芯片的各自另外一个主电极通过金属线焊接分别连接到框架的两个输出引脚端,同时在这个光电耦合器的金属框架输入端位置上安装一个发光二极管芯片,发光二极管芯片的两个电极通过金属线分别连接到框架的两个输入引脚端,然后通过模压封装制造成一个含有两个双向可控硅输出芯片的光电耦合器产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈震强,未经沈震强许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210408877.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类