[发明专利]一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电耦合器产品的封装方法，提供了一种提高单个光电耦合器产品输出端耐高压指标的封装结构。

背景技术

随着各种自动化电器设备的小型化需求，市场出现需要一个双向可控硅光电耦合器的耐高压指标成倍提高的要求，由于市场没有这样的输出芯片，在电路设计时只能采用两个相同的双向可控硅光电耦合器串联在具体电路中来达到要求，但是却增加了空间体积，一些小型化的电路器件不得不重新设计而往往又增加了空间体积。

发明内容

本发明通过在一个原有的双向可控硅光电耦合器的框架上封装两个双向可控硅光电耦合器的输出芯片并在这个框架上将它们串联起来，使得输出芯片的耐高压指标成倍提高，产品封装后的体积还是原来一个双向可控硅光电耦合器的体积。由于光电耦合器的输出芯片的耐高压指标在制造上很难继续提高，本发明的方法为市场提供了一种高性能的提高单个光电耦合器输出端芯片耐高压指标的产品。

本发明的有益效果是，在不增加空间体积的情况下为市场提供了一种高性能的提高单个光电耦合器输出端芯片耐高压指标的产品。

附图说明

图1为一个常规双向可控硅光电耦合器的内部器件在框架上的电路示意图。(1)为输入端，(2)为输入端，(3)为空端，(4)为输出端，(5)为空端，(6)为输出端，(10)为零电压交汇触发电路，图中箭头为从发光二极管照向输出芯片的光照向。

图2为一个常规双向可控硅光电耦合器的产品立体图。

图3为一个常规双向可控硅光电耦合器的内部器件在框架上的示意图。(1)为输入端，(2)为输入端，(3)为空端，(4)为输出端，(5)为空端，(6)为输出端，(7)为焊接好的金属线，(8)为输入芯片，(9)为输出芯片。

图4为本发明采用两个输出芯片的双向可控硅光电耦合器的内部器件在框架上的电路示意图。(1)为输入端，(2)为输入端，(3)为空端，(4)为输出端，(5)为串联端，(6)为输出端，(10)为零电压交汇触发电路，图中箭头为从发光二极管照向输出芯片的光照向。

图5为本发明采用两个输出芯片的双向可控硅光电耦合器的内部器件在框架上的示意图。(1)为输入端，(2)为输入端，(3)为空端，(4)为输出端，(5)为串联端，(6)为输出端，(7)为焊接好的金属线，(8)为输入芯片，(9)为输出芯片，有两个进行串联。

具体实施方式

本发明所指的框架为金属框架。图1、图2、图3、图4、图5的(1)和(2)为输入端管脚和红外发光二极管芯片相连，(4)和(6)为输出端管脚和感光双向可控硅输出芯片相连。本发明见图4、图5，其中输出端金属框架位置(5)上安装两个感光双向可控硅输出芯片，它们各自的一个主电极和框架输出端管脚(5)连接达到串联作用，它们各自的另外一个主电极分别和框架输出端管脚(4)和(6)连接，安装时两个感光双向可控硅输出芯片与输出端金属框架位置(5)之间必须用绝缘胶固定，串联作用时输出端管脚(5)为空端，只起到提供串联的连接作用，同时在这个光电耦合器的金属框架输入端位置上安装一个发光二极管芯片，发光二极管芯片的两个电极通过金属线分别连接到框架的两个输入引脚端，然后通过模压封装制造成一个含有两个双向可控硅输出芯片的光电耦合器产品。当用户使用输出端管脚(5)时，输出端框架上安装两个感光双向可控硅芯片将作为并联使用。