[发明专利]一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法无效
| 申请号： | 201210408877.5 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931181A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 沈震强 | 申请（专利权）人： | 沈震强 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H03K17/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201103 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 两个 双向 可控硅 芯片 集成 一个 光电 耦合器 中的 封装 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种将两个双向可控硅芯片集成在一个光电耦合器中的封装制造方法，其特征在于在光电耦合器的金属框架输出端位置上安装两个双向可控硅输出芯片，芯片和框架之间用绝缘胶固定，两个双向可控硅输出芯片的各自一个主电极分别通过金属线焊接连接到引脚框架上达到串联作用，这两个双向可控硅输出芯片的各自另外一个主电极通过金属线焊接分别连接到框架的两个输出引脚端，同时在这个光电耦合器的金属框架输入端位置上安装一个发光二极管芯片，发光二极管芯片的两个电极通过金属线分别连接到框架的两个输入引脚端，然后通过模压封装制造成一个含有两个双向可控硅输出芯片的光电耦合器产品。
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