[发明专利]三维封装结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维封装结构及其制造方法。该三维封装结构包括第一半导体装置和第二半导体装置，第一半导体装置包括位于底层的第一衬底和位于中间的第一器件层，以及位于顶层的第一键合层，第一键合层包括一个或多个第一焊垫、一个或多个与第一器件层中的器件电连接的第一外接焊垫；第二半导体装置包括位于底层的第二衬底和位于中间的第二器件层，以及位于顶层的第二键合层，第二键合层包括一个或多个第二焊垫，第二键合层与第一键合层键合连接；以及使第一外接焊垫暴露的通孔，通孔的四周填充有介电质，通孔的中间填充有与第一外接焊垫电连接的金属。本发明将第一半导体装置和第二半导体装置通过键合封装，使得三维封装结构的封装体积小。

主权项

一种三维封装结构，其特征在于，包括：第一半导体装置，所述第一半导体装置包括位于底层的第一衬底和位于中间的第一器件层，以及位于顶层的第一键合层，所述第一键合层包括一个或多个第一焊垫以及第一介电质层，所述第一键合层还包括一个或多个与所述第一器件层中的器件电连接的第一外接焊垫，所述一个或多个第一焊垫以及第一外接焊垫与第一键合层齐平；第二半导体装置，所述第二半导体装置包括位于底层的第二衬底和位于中间的第二器件层，以及位于顶层的第二键合层，所述第二键合层包括一个或多个第二焊垫以及第二介电质层，所述一个或多个第二焊垫与第二键合层齐平，所述第二键合层与所述第一键合层键合连接，所述第一介电质层与第二介电质层键合连接，所述第一外接焊垫与第二介电质层键合连接，且所述第一焊垫与第二焊垫键和连接；以及使所述第一外接焊垫暴露的通孔，所述通孔的四周填充有介电质，所述通孔的中间填充有与所述第一外接焊垫电连接的金属。