[发明专利]一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法有效
| 申请号： | 201210407235.3 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102903757A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王颖;包梦恬;曹菲;胡海帆 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅氧化层（8）；一个位于栅氧化层（8）上的多晶硅栅极（9）；其特征是：体接触（11）引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底（1）水平面之间。本发明提供一种能够将中性体区中多余的空穴导出，实现抗浮体效应，同时还防止自加热效应的产生的SOI MOSFET体接触结构；还提供一种简化制造流程，降低制作成本，提高器件可靠性的SOI MOSFET体接触结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 工艺 soi mosfet 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触结构为：包括一个经过刻蚀形成具有两个不同高度水平面的台阶结构的底层半导体衬底（1）；两个在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；一个位于左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）和底层半导体衬底（1）上的顶部硅膜（7）；一个在顶部硅膜（7）上生长形成的栅氧化层（8）；一个位于栅氧化层（8）上的多晶硅栅极（9）；其特征是：体接触（11）引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底（1）水平面之间。
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