[发明专利]半导体集成电路器件有效
申请号: | 201210407045.1 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103066071B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 坂本和夫;森野直纯;田中一雄;石塚裕康 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孟祥海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体集成电路器件,其能够降低I/O单元的高度并防止宽度增大,从而削减I/O单元所占据的区域面积。该半导体集成电路器件,其在核心区域的周围配置有电平移位器电路、以及包含I/O逻辑电路和I/O缓存器电路的I/O单元,配置有I/O逻辑电路的I/O逻辑区域和配置有I/O缓存器电路的I/O缓存器区域与配置有针对I/O单元的焊盘的区域重合,并且彼此并列地配置在与核心区域的边平行的方向上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路器件,具有:核心区域;沿着所述核心区域的各边分别配置成1列的多个焊盘;以及包含电平移位器电路、I/O逻辑电路以及I/O缓存器电路的多个I/O单元,包含在所述多个I/O单元的每一个中的I/O逻辑电路和I/O缓存器电路配置为与针对所述I/O单元的所述焊盘在俯视观察时重合,配置有所述I/O逻辑电路的I/O逻辑区域和配置有所述I/O缓存器电路的I/O缓存器区域,彼此并列配置在与所述核心区域的边平行的方向上,所述多个焊盘各自的与所述核心区域的边平行的方向上的宽度大于等于配置有所述I/O单元的I/O单元区域的与所述核心区域的边平行的方向上的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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