[发明专利]具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法无效
| 申请号： | 201210396144.4 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102915925A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | D·帕德希;H-C·哈;S·拉蒂;D·R·威蒂;C·陈;S·帕克;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·杰纳基拉曼;M·J·西蒙斯;V·斯瓦拉马克瑞希楠;B·H·金;H·姆塞德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/311;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 密度 阶梯 覆盖率 无定形碳 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成无定形碳层的方法，包括:将基板放置在基板处理室中；将烃源导入该处理室；将稀有气体导入该处理室，而该稀有气体选自由氩气、氪气、氙气及其组合所组成的群组，其中该稀有气体的摩尔流速大于该烃源的摩尔流速；在该处理室中产生等离子体；以及在该基板上形成无定形碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
