[发明专利]具有改进的密度和阶梯覆盖率的无定形碳膜的沉积方法

权利要求书

1.一种在基板上形成无定形碳层的方法，包括:

将基板放置在基板处理室中；

将烃源导入该处理室；

将稀有气体导入该处理室，而该稀有气体选自由氩气、氪气、氙气及其组合所组成的群组，其中该稀有气体的摩尔流速大于该烃源的摩尔流速；

在该处理室中产生等离子体；以及

在该基板上形成无定形碳层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该稀有气体的摩尔流速是该烃源的摩尔流速的约2至40倍大。

3.如权利要求2所述的方法，其中该稀有气体是氩气。

4.如权利要求1所述的方法，更包括:

使该烃源停止流入该处理室；以及

使等离子体维持气体流入该处理室中，以维持在该处理室中的等离子体。

5.如权利要求4所述的方法，其中该等离子体维持气体是氦气，且其中在使该烃源停止流入该处理室之后，氦气持续流入该处理室约5至20秒。

6.如权利要求4所述的方法，其中使等离子体维持气体流入该处理室中的步骤更包括使氢气流入该处理室中。

7.如权利要求6所述的方法，其中该等离子体维持气体的摩尔流速与该氢气的摩尔流速的比率介于约1:1至3:1之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中该烃源选自由脂肪族烃、脂环烃、芳香烃及其组合所组成的群组。

9.如权利要求1所述的方法，其中该基板处理室是电容耦合等离子体辅助化学气相沉积室。

10.如权利要求9所述的方法，其中在该基板上形成无定形碳层的过程中，该基板处理室中的压力是约2托至8托。