[发明专利]碳化硅晶体生长炉控制系统有效
| 申请号： | 201210394732.4 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102912443A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 黄鸣;丁文革;谭三成 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长炉控制系统，包括：ARM控制器和受所述ARM控制器控制的压力控制器、温度控制器、运动控制器和报警器；压力控制器：采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器；温度控制器：采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器；运动控制器：用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动；报警器：当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。发明提供的碳化硅晶体生长炉控制系统，可有效的提供生长炉的工作效率，减低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 控制系统 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长炉控制系统，其特征在于，包括：ARM控制器和受所述ARM控制器控制的压力控制器、温度控制器、运动控制器和报警器；压力控制器：采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器；温度控制器：采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器；运动控制器：用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动；报警器：当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。
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