[发明专利]碳化硅晶体生长炉控制系统有效

专利信息
申请号: 201210394732.4 申请日: 2012-10-17
公开(公告)号: CN102912443A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 黄鸣;丁文革;谭三成 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 碳化硅 晶体生长 控制系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及生长炉技术领域,特别涉及一种碳化硅晶体生长炉控制系统。

背景技术

目前工业自动化控制一般采用PLC控制,PLC面向直接控制,主要用于大型设备,开发简单,成本较高。而ARM偏向弱电控制,只有装上操作系统后才能发挥到它的实力,大多数用于消费类电子产品,开发难度大,价格低廉。随着工业技术的发展,这些控制器之间的界限也越来越模糊。根据实际的工作要求来选择合适的控制器。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是,针对现有技术的不足,提供一种碳化硅晶体生长炉控制系统,可有效的提供生长炉的工作效率,减低生产成本。

(二)技术方案

本发明提供一种碳化硅晶体生长炉控制系统,包括:ARM控制器和受所述ARM控制器控制的压力控制器、温度控制器、运动控制器和报警器;

压力控制器:采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器;

温度控制器:采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器;

运动控制器:用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动;

报警器:当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。

其中,所述压力控制器包括:PC机、压力检测控制电路、变频器和机械泵,所述压力检测控制电路采集碳化硅晶体生长炉内的压力数据,并将该压力数据传送到ARM控制器,所述ARM控制器计算出控制量,并将该控制量传送到PC机中,所述PC机通过调节变频器的频率控制机械泵的速度,从而调节碳化硅晶体生长炉内的压力。

其中,所述温度控制器包括:温度检测控制电路和D/A模块,所述温度检测控制电路采集碳化硅晶体生长炉内的温度值,并将该温度值传送到ARM控制器,所述ARM控制器计算出输出值,并通过D/A模块控制RF电源的功率输出值。

其中,所述运动控制器包括:两个光电脉冲发生器,和由所述的两个光电脉冲发生器分别控制的两个步进电机,其中一个所述步进电机控制加热线圈的升降,另一个所述步进电机控制坩埚轴的升降。

其中,所述报警器接收所述ARM控制器I/O点输出的报警信号。

其中,所述ARM控制器计算控制量的计算过程包括:将采集的炉内压力与设定压力做对比,计算两压力值间的差值,经过PID算法,计算出控制量;所述ARM控制器将该控制量传送到PC机,PC机通过RS-485接口与变频器通信,调节变频器的频率,控制机械泵的抽速,来调节炉内压力,其中变频器与PC机的通信采用USS协议。

其中,所述ARM控制器计算输出值的计算过程包括:将采集碳化硅晶体生长炉内的温度值和设定炉内温度做对比,计算出温度间的偏差值,经过PID算法,计算出输出值;所述ARM控制器通过D/A模块控制功率的输出值。

其中,所述PC机通过RS-485通信接口控制气体质量流量计。

(三)有益效果

本发明提供的碳化硅晶体生长炉控制系统,可有效的提供生长炉的工作效率,减低生产成本。

附图说明

图1为本发明碳化硅晶体生长炉控制系统的结构示意图;

图2为本发明碳化硅晶体生长炉控制系统压力控制器的结构示意图;

图3为本发明碳化硅晶体生长炉控制系统温度控制器的结构示意图;

图4为本发明碳化硅晶体生长炉控制系统运动控制器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。

ARM(Advanced RISC Machines)控制器是Acorn计算机有限公司面向低预算市场设计的第一款RISC微处理器。更早称作AcornRISC Machine。

图1为本发明碳化硅晶体生长炉控制系统的结构示意图,如图1所示,本发明提供一种碳化硅晶体生长炉控制系统,包括:ARM控制器1和受所述ARM控制器控制的压力控制器2、温度控制器3、运动控制器4和报警器5;

压力控制器2:采集炉内压力数据并将压力数据传送到ARM控制器;

温度控制器3:采集炉内温度值并将炉内温度值传送到ARM控制器;

运动控制器4:用于通过步进电机控制加热线圈和坩埚轴的升降运动;

报警器5:当温度和压力超出设定值范围时用于报警提示。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210394732.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top