[发明专利]半导体光学器件有效
| 申请号： | 201210383495.1 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103137777A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱雷;关口茂昭;田中信介;河口研一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/167 | 分类号： | H01L31/167;G02B6/122 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;郑特强 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体光学器件包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于第一包覆层与第二包覆层之间的光波导层；其中该光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖第二半导体层的顶表面；以及其中该第一半导体层包括：n型区域，布置在第二半导体层的一侧；p型区域，布置在第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在n型区域与p型区域之间，以及其中第二半导体层的带隙比第一半导体层和第三半导体层的带隙窄。采用该半导体光学器件，可以减少半导体光学器件的功率消耗或缩短器件长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体光学器件，包括：第一包覆层、第二包覆层以及夹设于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间的光波导层；其中所述光波导层包括：第一半导体层；第二半导体层，布置在所述第一半导体层上且沿一个方向延伸；以及第三半导体层，覆盖所述第二半导体层的顶表面；以及其中所述第一半导体层包括：n型区域，布置在所述第二半导体层的一侧；p型区域，布置在所述第二半导体层的另一侧；以及i型区域，布置在所述n型区域与所述p型区域之间；以及其中所述第二半导体层的带隙比所述第一半导体层和所述第三半导体层的带隙窄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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